SK海力士的MR-MUF封裝將12層HBM堆疊得如8層般薄，贏得AI記憶體領先地位

高頻寬記憶體（HBM）將DRAM晶粒垂直堆疊並加以連接，為AI加速器提供所需的速度與容量。容量隨層數增加而提升，但每增加一層都會惡化兩個問題：堆疊會翹曲，且熱量無法散出——兩者都會破壞良率。

SK海力士打造了自己的解答：大規模回焊模塑底部填充（MR-MUF）。有別於競爭對手在每個晶粒之間鋪設薄膜，它注入液態保護材料，在一次回焊步驟中硬化，降低堆疊壓力並控制翹曲，同時良好地散熱。

2024年9月，SK海力士開始量產全球首款12層HBM3E——36GB，厚度與8層產品相同。將每顆DRAM減薄40%並採用先進MR-MUF，使容量提升50%，並在9.6Gbps下降低10%的熱量，良率約80%，為業界最佳。

一步式晶粒填充讓堆疊得以增加層數而不增加厚度

一步式底部填充在速度與散熱上勝過逐層薄膜

翹曲控制讓高層堆疊得以量產

更薄的晶粒在不增加厚度的情況下換取容量

率先供貨給NVIDIA，鎖定領先地位

在堆疊業務中，封裝製程就是護城河：誰能控制翹曲與熱量，誰就決定一個產品能承載多少層——以及多少價值——而領先優勢會快速累積。

12層產品推出一個月後，SK海力士宣布以同一先進MR-MUF製程推出16層HBM3E（48GB）；到了2024年，它在對NVIDIA的HBM供應中占據主導地位，而三星與美光則在良率上落後。該製程成為HBM4時代混合鍵合工作的範本。