SK海力士MR-MUF封装让12层HBM薄如8层，赢下AI内存领先

高带宽内存（HBM）将DRAM芯片垂直堆叠并连接，为AI加速器提供所需的速度和容量。容量随层数增加，但每增加一层都加剧两个问题：堆叠翘曲和散热困难，这两者都会降低良率。

SK海力士自研了解决方案——批量回流模塑底部填充（MR-MUF）：与竞争对手在每个芯片间铺设薄膜不同，它注入液态保护材料，在一次回流步骤中固化，减少堆叠压力并控制翘曲，同时有效散热。

2024年9月，SK海力士开始量产全球首款12层HBM3E——36GB，厚度与8层产品相当。通过将每个DRAM减薄40%并应用先进MR-MUF，容量提升50%，在9.6Gbps速度下热量降低10%，良率约为80%，行业领先。

一步式芯片填充让堆叠在不增加厚度的同时增加层数

一步式底部填充在速度和散热方面优于逐层薄膜

控制翘曲使高堆叠可制造

更薄的芯片在不增加厚度的情况下增加容量

率先供货英伟达巩固了领先地位

在堆叠业务中，封装工艺是护城河：谁控制翘曲和热量，谁就决定了产品能承载多少层——以及多少价值——而领先会迅速放大。

在12层产品发布一个月后，SK海力士宣布在相同的先进MR-MUF工艺上推出16层HBM3E（48GB），到2024年，它在向英伟达供应HBM方面占据主导地位，而三星和美光在良率上落后。该工艺成为HBM4时代混合键合工作的模板。