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SK海力士MR-MUF封装让12层HBM薄如8层，赢下AI内存领先
SK海力士的先进MR-MUF技术一次成型填充DRAM芯片间空隙，使12层HBM3E比8层产品更薄，容量提升50%。
SK海力士
解法
高带宽内存（HBM）将DRAM芯片垂直堆叠并连接，为AI加速器提供所需的速度和容量。容量随层数增加，但每增加一层都加剧两个问题：堆叠翘曲和散热困难，这两者都会降低良率。
SK海力士自研了解决方案——批量回流模塑底部填充（MR-MUF）：与竞争对手在每个芯片间铺设薄膜不同，它注入液态保护材料，在一次回流步骤中固化，减少堆叠压力并控制翘曲，同时有效散热。
2024年9月，SK海力士开始量产全球首款12层HBM3E——36GB，厚度与8层产品相当。通过将每个DRAM减薄40%并应用先进MR-MUF，容量提升50%，在9.6Gbps速度下热量降低10%，良率约为80%，行业领先。
生效的原因
- 一步式底部填充在速度和散热方面优于逐层薄膜
- 控制翘曲使高堆叠可制造
- 更薄的芯片在不增加厚度的情况下增加容量
- 率先供货英伟达巩固了领先地位
取得的成效一步式芯片填充让堆叠在不增加厚度的同时增加层数聪明
可借鉴之处
在堆叠业务中，封装工艺是护城河：谁控制翘曲和热量，谁就决定了产品能承载多少层——以及多少价值——而领先会迅速放大。
后续进展
在12层产品发布一个月后，SK海力士宣布在相同的先进MR-MUF工艺上推出16层HBM3E（48GB），到2024年，它在向英伟达供应HBM方面占据主导地位，而三星和美光在良率上落后。该工艺成为HBM4时代混合键合工作的模板。
资料来源
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