Le packaging MR-MUF de SK hynix empile 12 couches HBM aussi fines que 8 et remporte la tête de la mémoire pour l'IA

La mémoire à large bande passante (HBM) empile verticalement des puces DRAM et les connecte, offrant aux accélérateurs d'IA la vitesse et la capacité dont ils ont besoin. La capacité augmente avec le nombre de couches, mais chaque couche supplémentaire aggrave deux problèmes : l'empilement se déforme et la chaleur ne peut s'échapper — deux phénomènes qui nuisent au rendement.

SK hynix a développé sa propre réponse, le mass reflow molded underfill (MR-MUF) : au lieu de déposer un film entre chaque puce comme ses concurrents, l'entreprise injecte un matériau protecteur liquide qui durcit en une seule étape de refusion, réduisant la pression d'empilement et maîtrisant la déformation tout en dissipant bien la chaleur.

En septembre 2024, SK hynix a lancé la production de masse du premier HBM3E à 12 couches au monde — 36 Go, à la même épaisseur que le produit à 8 couches. L'amincissement de chaque DRAM de 40 % et l'application du MR-MUF avancé ont augmenté la capacité de 50 % et réduit la chaleur de 10 % à 9,6 Gbit/s, avec un rendement d'environ 80 %, le meilleur de l'industrie.

Le remplissage des puces en une seule étape permet aux empilements de croître sans épaisseur supplémentaire

Le underfill en une étape surpasse le film par couche en vitesse et en chaleur

La maîtrise de la déformation rend les empilements hauts fabricables

Des puces plus fines offrent de la capacité sans épaisseur supplémentaire

L'approvisionnement en premier de NVIDIA a verrouillé l'avance

Dans un métier d'empilement, le procédé de packaging est la douve : celui qui maîtrise la déformation et la chaleur décide du nombre de couches — et de la valeur — qu'un produit peut porter, et l'avance se creuse rapidement.

Un mois après le lancement du 12 couches, SK hynix a annoncé le HBM3E à 16 couches (48 Go) sur le même procédé MR-MUF avancé, et en 2024, elle dominait l'approvisionnement en HBM de NVIDIA tandis que Samsung et Micron étaient à la traîne sur le rendement. Le procédé est devenu le modèle des travaux de hybrid bonding de l'ère HBM4.