O empacotamento MR-MUF da SK hynix empilhou 12 camadas de HBM tão finas quanto 8 e conquistou a liderança em memória para IA

A memória de alta largura de banda (HBM) empilha pastilhas de DRAM verticalmente e as conecta, dando aos aceleradores de IA a velocidade e a capacidade de que precisam. A capacidade aumenta com o número de camadas, mas cada camada extra agrava dois problemas: a pilha empena e o calor não consegue escapar — ambos comprometem o rendimento.

A SK hynix criou sua própria resposta, o mass reflow molded underfill (MR-MUF): em vez de colocar uma película entre cada pastilha como os concorrentes, ela injeta um material protetor líquido que endurece em uma única etapa de refluxo, reduzindo a pressão de empilhamento e controlando o empenamento, além de dissipar bem o calor.

Em setembro de 2024, a SK hynix iniciou a produção em massa do primeiro HBM3E de 12 camadas do mundo — 36GB, com a mesma espessura do produto de 8 camadas. Afinar cada DRAM em 40% e aplicar o Advanced MR-MUF elevou a capacidade em 50% e reduziu o calor em 10% a 9,6Gbps, com rendimento em torno de 80%, o melhor do setor.

O preenchimento das pastilhas em uma única etapa permite que as pilhas cresçam sem espessura adicional

O underfill em uma única etapa supera a película por camada em velocidade e calor

O controle do empenamento torna as pilhas altas fabricáveis

Pastilhas mais finas proporcionam capacidade sem espessura adicional

O fornecimento pioneiro à NVIDIA consolidou a liderança

Em um negócio de empilhamento, o processo de empacotamento é o fosso competitivo: quem controla o empenamento e o calor decide quantas camadas — e quanto valor — um produto pode carregar, e a liderança se acumula rapidamente.

Um mês após o lançamento de 12 camadas, a SK hynix anunciou o HBM3E de 16 camadas (48GB) no mesmo processo Advanced MR-MUF e, até 2024, dominou o fornecimento de HBM à NVIDIA, enquanto Samsung e Micron ficaram atrás no rendimento. O processo tornou-se o modelo para o trabalho de ligação híbrida da era do HBM4.